银河微电:拟10.78亿元布局功率分立器件与第三代半导体 打造新营收增长点

中证智能财讯银河微电(688689)9月21日晚间公告,为提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力 ,扩大集成电路分立器件产品的生产规模,公司于当日董事会审议通过《关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的议案》,同意公司以自有或自筹资金10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目 ” ,并授权公司管理层办理该项目投资的所有后续事项。

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本项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续和产业化落地环节 。前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施,本项目不涉及新增土建,主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装 、产线调试及客户验证。项目投资将按照“整体规划、分步实施、分批投入”的原则推进 ,根据市场情况 、客户验证进度及产能消化情况动态安排资金投入节奏。

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上述项目产品定位为采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构 ,通过AEC-Q101等高可靠性认证,面向新能源汽车 、储能 、工业等高门槛场景的功率分立器件与第三代半导体器件,主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块 、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等 ,区别于传统消费类小信号二极管 、普通低压平面器件 。

项目建设周期为3年,具体建设周期以项目基础全面动工开始计算,预计开工时间为2027年1月1日。建设内容包括厂房车间装修 ,购置生产设备及配套设备,建设新产线,实现公司集成电路分立器件升级产品小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的落地量产。

根据公告披露的项目必要性分析 ,当前国内半导体分立器件相关产品供给仍有提升空间,公司现有产能主要面向常规产品,相关产能存在一定缺口 。本项目将新建产线 ,实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化量产,有助于补充公司相关产能,提升相关产品供给能力 。

银河微电表示 ,项目的实施将有助于公司丰富产品系列 ,扩大公司产品市场覆盖范围,为公司创建新的营收增长点,提高公司盈利能力和竞争力 ,同时有利于公司提升产品供给能力和系统方案交付能力,深化与上下游企业的合作关系,巩固和提升市场地位 ,对促进公司长期稳定发展具有重要意义。

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